Toshiba construirá chips de memoria avanzados

Toshiba Corp planea invertir unos 15.000 millones de yenes (160 millones de dólares) en el 2010 para construir una línea de producción para chips de memoria flash avanzados, dijo el diario de negocios Nikkei, lo que impulsó a las acciones de la firma japonesa.

El segundo mayor fabricante mundial de memorias flash NAND, detrás de Samsung Electronics Co, ha pedido además equipos para la fabricación de chips a ASML para producir microchips con circuitos de menos de 25 nanómetros, dijo el diario Nikkei.

Los circuitos más pequeños permiten a las firmas de semiconductores almacenar más información en una pieza más pequeña de silicón, lo que rebaja el costo de producción por chip.

Toshiba actualmente fabrica NAND memorias flash con circuitos de 32 y 43 nanómetros.

Un nanómetro es la milmillonésima parte de un metro.

A diferencia de los chips de memoria de acceso dinámico aleatorio (DRAM por su sigla en inglés) usados en las computadoras personales, las memorias NAND pueden retener datos pese a que los equipos están apagados, lo que les hace ideales para aparatos como teléfonos digitales y cámaras digitales.

Toshiba planea comenzar la producción de chips NAND con circuitos de un nivel cercano a los 20 nanómetros tan pronto como en el 2012, añadió el Nikkei.

Un portavoz de Toshiba dijo que la firma planea comenzar la producción comercial de memorias flash NAND de entre 20 y 29 nanómetros en la segunda mitad del 2010, pero dijo que la empresa aún no decidió si tendrán un ancho de más o menos de 25 nanómetros.

Las acciones de Toshiba subieron un 3,5 por ciento, superando al índice de maquinaria electrónica de la bolsa de Tokio, que avanzó un 0,8 por ciento.